1957年，刚在美國獲得兩項研究成果並取得專利的固體物理學博士林蘭英，響應祖國的號召，冲破重重阻攔回到祖國懷抱。這件事，在國内外產生了巨大的反響。
    還是讓我們回顧一下林蘭英博士的人生經歷吧!
    好讀書，成績優异
    林蘭英于1917年出生在福建莆田一個書香門第．天赋聰明，刻苦好學。可是她的母親有舊思想，認為“女人無才便是德”，不願意讓她深造。林蘭英却認為，在舊社會婦女社會地位最低，命運最慘。她萌發了挣脱命運擺布的渴望，努力讀書，掌握知識，在社會上争個地位。母親被她强烈追求知識的精神所感化，同意蘭英去讀高中，但提出兩個條件：一是每天都要幫助家里做家務；二是每次考試都要考第一名，否則就别讀書。蘭英答應了母親的要求。第一條好辦，她每天早上起來燒飯、掃地，然后上學去。第二條不是輕而易舉的。她聽課非常認真，學習非常用功，每天晚上做功課總是到十一點后才去睡覺。在高中階段，学習成績年年全班第一。蘭英的母親打心里高興了。
    1936年，蘭英考入福建協和大學(福建師範大學的前身)。她在大學讀書期間，從不講究吃穿，而是專心致志地攻讀數学和物理，決心成為一名物理學家。經過四年的刻苦學習，1940年，她獲得學士學位。畢業后，她被留校當物理系助教，四年后由于教學成績優异，晉升為講師。此后，她一邊從事教學，一邊有計劃地研究物理學，造詣日深。
    懷壯志，渡洋深造
    1948年，林蘭英為了攀登科學的高峰，她辭去協和大學教学工作，速渡重洋到美國狄金遜學院攻讀數學。她的數學才能受到教授們的稱赞。有一次，數學系主任埃爾教授編著一部《微積分》，請蘭英為書中的習题作解。蘭英在很短的時間里，就把全部習题答案交給了埃爾教授。教授審閱了最后一道题目時，赞嘆地對林蘭英說：“我把你介紹到芝加哥大學深造，去寫你的博士論文，你一定能獲得成功。”這個建議是誠摯的。然而，蘭英選擇的是另一條道路一一前往賓州大學改學固體物理。1951年，她寫了《氧化鋅的電學性質的研究》的論文，獲得賓州大學固體物理學硕士學位。1955年，她又完成了博士論文《氯化鉀的輻射引進缺陷的研究》，獲得了物理學博士學位。畢業后，應美國斯盆尼公司之聘，出任高级工程師。她在那里開始對硅、赭等半導體材料電學性質的研究，並取得顯著的成就，其中《硅的歐姆接觸的制備》和《锗和硅的截流子抽出的電極的制備》兩項研究成果，在美國獲得了專利。
    趕上去，争創一流
    林蘭英身在异邦，却時刻在想念祖國，關心祖國的前途和命運。新中國涎生了，中華民族在振興，它召唤龍的傳人，特别是科學家回來建設自己的祖國。1957年，林蘭英響應祖國的號召，放弃在美國優裕的生活和工作條件，冲破重重阻攔回到了祖國。當時，我國在制定十二年科學这景规劃，把半導體材料作為重點研究項目。這個規劃是外國專家幫助制定的。半導體研究所負責人請诵英對“规劃”提意見。她翻開之后說：“按照這個规劃，也許到七十年代我們連一只晶體管的影子也看不到。”負責人問她有什么招時，她把手一揮，堅定地說：“追上去，我們不但要馬上開展研究，還要盡快把它拿到手。”
    蘭英帶着一班人，說干就干。幾個月后，我國第一只單晶硅問世了，可是，純度没有解決，器件性能很不穩定。藺英深切地感到，發展我國牛導體材料，得走自己的道路。
    在研制單晶爐的過程中，蘭英和工人、技術員一起，在實踐中闖新路，把單晶爐的“頂開門”改為“前開門”，大大地改進了技術性能。1962年秋，我國單晶材料迅速地接近國際先進水平。在蘭英的领導和具體指導下，我國研制出一批硅單晶、锗單晶，並用于制造晶體管。
    1978年在蘭英的领導下，我國成功地研制出水平法低位錯參碲(或掺硅)GaAs單晶，指標趕上了日本先進水平，适項成果獲得全國科學大會獎。在锗單晶的制備及其參數测定，坤化纡單晶的制備及其電學、光學性質的研究，高純銻化鈿單晶的制備，銻化鈿熱處理的研究等方面，蘭英都做出卓著的成績。她领導的高純高電子遷移率的坤化纡汽相和液相多單晶的制備、純度及電子遷移率等科研項目，都達到國際先進水平。
    林蘭英回國后任中國科學院半導體研究所副所長，當選為全國人大第三届常委，第四、五届全國人民代表。她現任中國科技協會副主席、中國科學院學部委員、中國科學院半導體研究所學術委員會主任委員、中國電子学會電子材料學會主任委員等職。她多次主持或參加國内外的重要學術會議。
    蘭英向往祖國，熱爱社會主義建設，在半導體科學研究上一步一個脚印，不斷作出卓越貢獻。她那“冀中華在科學研究上趕上國際先進水平”的宏願，像金子一樣燦爛發光，是海内外龍的傳人学習的光輝榜樣。